сток и исток что это

 

 

 

 

Полупроводники сток и исток. ТПТ с изолированным затвором представляет собой полупроводниковый триод, действие которого основано на модуляции проводимости пленки полупроводника поперечным электрическим полем. Соединения эмиттера и стока (D), базы и истока (S) являются внутренними. Сочетание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и биполярных транзисторов Если выводы стока и истока поменять местами, то пробивное напряжение почти не изменится. Например, у транзистора КП102 пробой наступает при суммарном напряжении между затвором и стоком, равном 30 В. Это напряжение является минимальным Ток нагрузки протекает по каналу через электроды, называемые «стоком» и « истоком». Величина сечения проводящего канала и его сопротивление зависит от обратного напряжения на p-n переходе границы металла и полупроводника канала. Дело в том, что этот материал сильно легирован, то есть концентрация электронов в этом полупроводнике очень большая. От полупроводников N типа, которые располагаются по краям, отходят два вывода: Исток и Сток. Металлические контакты с внешними выводами осуществляются от области стока и истока, от металлического затвора, а также в некоторых случаях от подложки. Чаще всего вывод от подложки соединяют с истоком. Сток, исток, затвор. Для МОП-транзисторов (с изолированным затвором) подложка часто выводится отдельно, как четвёртый вывод. Вот тут уже точняк есть управление: электрическое поле затвора изменяет проводимость участка между стоком и истоком (канала транзистора). Электроды полевого транзистора называют истоком (И), стоком (С) и затвором (З). Управляющее напряжение прикладывается между затвором и ис-током. От напряжения между затвором и истоком зависит проводимость кана-ла, следовательно, и величина тока. Между стоком и истоком сформируется тонкий канал с электропроводностью N-типа, по которому пойдет ток Iси. Чем выше напряжение на затворе транзистора Uзи, тем шире канал и, следовательно, больше сила тока.

Обозначения электродов сток и исток достаточно условны. Если взять любой полевой транзистор, не подсоединенный к какой-либо цепи, то совсем нет разницы какой вывод корпуса сток, а какой исток. Так как области стока и истока сильно легированы, то между -каналом и p-выводом затвора (здесь и дальше будут рассматриваться только п-канальные полевые транзисторы принцип действия р-канальных транзисторов тот же, Рис. 1.15. Если к стоку и истоку приложить напряжение U2, через полупроводник потечёт ток. Область полупроводника, по которой проходит ток, представляет собой обычное активное сопротивление. Выходной (стоковой) называется зависимость тока стока от напряжения исток -сток при константном напряжении затвор-исток. На рисунке — график слева. На графике можно четко выделить три зоны.

Вывод, на который подается управляющее напряжение относительно истока или стока, называется затвором. Название транзисторы получили вследствие особенностей работы. Полевыми транзисторы называют потому Управление полевыми транзисторами (регулирование тока Iси между стоком и истоком, далее Ic,) осуществляется изменением управляющего напряжения Uзи между контактами истока И и затвора З "Полевики" по типу проводимости канала и типу носителей бывают двух видов: n-канальный носители электроны и p-канальный носители дырки. Транзистор имеет три вывода: исток, сток, затвор. Коэффициент изменения напряжения затвор-исток и тока стока при определенном токе стока ID (при номинальном токе). Параметры: напряжение сток-исток VDS, ток стока ID (номинальный ток),температура корпуса Tcase 25С. S - исток, D - сток, G - затвор. На мультиметре выставляем режим проверки диодов. Транзистор закрыт: сопротивление - 502 ома.Тестер должен показывать «обрыв» при проверке затвор-исток и затвор-сток, причем полярность щупов не имеет значения. В самом начале документа дано схематичное изображение транзистора, приведены обозначения его электродов: G-gate (затвор), D-drain ( сток), S-source (исток), а также указаны его главные параметры и перечислены отличительные качества. В данном случае мы видим, что этот Рисунок 3.3 - МОП транзистор со встроенным каналом. На подложке - типа создается сильно легированная область - типа, соединяющая выводы: сток (С) и исток (И). Канал изолирован от металлического затвора тонким слоем диэлектрика. Следующий вывод зовётся Исток (И). Исток аналогичен эмиттеру у биополярных транзисторов. Третий вывод именуется Сток . Сток является выводом, с которого снимается выходной ток. У полевого транзистора три электрода: исток s (source), затвор g (gate) и сток d (drain). Эти электроды соответствуют эмиттеру, базе и коллектору биполярного транзистора. К торцам пластины подсоединены контакты: сток и исток, в середине — контакт затвора. Действие устройства основано на изменяемости толщины пространства р-п перехода. Полевые транзисторы включают в себя канал, образованный полупроводником p- или n-типа, соединяющий два его вывода: исток и сток. Через исток в канал транзистора поступают основные носители заряда (у канала n-типа — электроны, у p-типа — дырки). Как работает полевой транзистор? ПТ с индуцированным каналом содержит три электрода — исток (source), сток (drain), и затвор (gate).

Чтобы «вода» пошла по «трубе», надо создать в ней «давление», т.е. приложить напряжение между стоком и истоком. Как кажется при простом рассмотрении, характеристики ток стока напряжение сток-исток должны быть прямыми, и лишь наклон их станет тем меньше, чем больше напряжение затвор- исток. Если между стоком и истоком включить внешний источник напряжения UСИ, то при некотором значении напряжения на затворе, которое называется пороговым (UЗИ пор), в цепи сток исток пойдет электрический ток. В свою очередь МДП-транзисторы делят на два типа. В так называемых транзисторах со встроенным (собственным) каналом (транзистор обедненного типа) и до подачи напряжения на затвор имеется канал, соединяющий исток и сток. максимальное напряжение сток-исток Uсиmax напряжение отсечки Uзиотс внутреннее (выходное) сопротивление ri представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока Линия между соединениями стока и истока представляет собой полупроводниковый канал.Базовая структура MOSFET транзистора. Конструкция MOSFET (что это, рассказано в статье подробно) очень отличается от полевых. 1. Напряжение пробоя сток-исток. В даташите обозначается Vds, очевидно, это Voltage между drain и source, до которого MOSFET может нормально функционировать, если его превысить, между ножками D и S образуется КЗ, транзистор будет пробит. Между стоком и истоком сформируется тонкий канал с электропроводностью N-типа, по которому пойдет ток Iси. Чем выше напряжение на затворе транзистора Uзи, тем шире канал и, следовательно, больше сила тока. Крутизна стокозатворной характеристики это отношение приращения тока стока к приращению напряжения затвор-исток при фиксированном напряжении сток- исток. Между истоком и стоком имеется тонкий приповерхностный канал с электропроводностью n- типа. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. Следующий вывод зовётся Исток (И). Исток аналогичен эмиттеру у биполярных транзисторов. Третий вывод именуется Сток (С). Сток является выводом, с которого снимается выходной ток. Выводы транзистора называются: Исток (Source), Затвор (Gate) и Сток (Drain).Во многих моделях MOSFET-транзисторовс этой же целью используют специально встроенный диод между стоком и истоком. Так работает полевой транзистор. Ток протекает от истока к стоку, новичков традиционно мучает вопрос различения двух указанных электродов. Отсутствует разница, в каком направлении движутся заряды. Гуру Вне Форума. Сообщений: 3591 Местоположение: Санкт-Петербург Зарегистрирован: 06.06.2008. Re: Как переводится сток, исток и затвор полевиков??? Прибор, в котором есть управляющий р-n-переход - это полевой транзистор, где пластина сделана из полупроводника одного типа и на противоположных концах имеет электроды ( исток и сток). Электроны могут перетекать в любом направлении через канал между стоком и истоком. Положительный (или прямой) ток стока втекает в сток, в то время как электроны перемещаются от истока к стоку. Следовательно, если между истоком и стоком включить источник напряжения Uси, то силой тока стока Iс, протекающего через канал, можно управлятьВольт-амперные характеристики полевого транзистора с р-п- переходом и каналом п- типа: а стоковые б стокозатворная. 2. Осталось определить, где находятся сток (D) и исток (S) и полярность (n-канал или p-канал) полевого транзистора. 2.1. Если это n-канальный транзистор, то сток (D) 3 вывод, исток (S) 2 вывод. drain source capacitance емкость сток исток Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. Обозначение Cсио Cdso [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN drain source capacitance DE Drain Source. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом[1] — это полевой транзистор, в котором пластина из полупроводника, например p-типа (Рис. 1), имеет на противоположных концах электроды ( исток и сток), с помощью которых она включена в управляемую цепь. Затвор - база, сток - коллектор, исток - эмиттер. Хотя так конечно неправильно считать.). Но для простоты понимания пойдет. Рис. 2. Обозначение MOSFET транзисторов (G - затвор, D - сток, S - исток): а - обозначение N-канального транзистора б - обозначение Р-канального транзистора. Слой SiO2 выполняет 2 функции: - защищает поверхность полупроводника, лежащую по краям от истока и стока - изоляцию затвора канала.Подложка соединена с истоком. N-канал. Стоковые характеристики. Стоко-затворная характеристика. 0), а ток стока практически равен току истока. На ширину р-n-перехода и толщину канала прямое влияние также оказывает напряжение между истоком и стоком. Пусть uзи 0 и подано положительное напряжение uис (рис. 1.24). В данном случае через канал от истока к стоку передвигаются электроны. Подобную конструкцию имеют и полевые транзисторы с каналом p типа.- В индуцированном канале, если отсутствует напряжение Uзи ток между стоком и истоком очень мал. Можно считать, что это напряжение, при котором продолженная прямая линия линейного участка достигает нулевого тока.Подложка образует p-n переход с полупроводниковым каналом, соединяющим сток и исток, так что напряжение на подложке не должно быть меньше

Записи по теме: